2025年4月10日,備受矚目的第十三屆儲能國際峰會暨展覽會(ESIE 2025)在北京舉辦。作為儲能行業(yè)發(fā)展風(fēng)向標(biāo),本屆展會匯聚了全球頂尖企業(yè)與前沿技術(shù),共同探討儲能行業(yè)的發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向。賽晶科技作為新能源產(chǎn)業(yè)鏈核心器件和創(chuàng)新技術(shù)型企業(yè),攜自主研發(fā)IGBT、SiC芯片及模塊,層疊母排、集成母排及電力電子電容器亮相,成為展會焦點(diǎn)。

儲能作為能源革命的關(guān)鍵支撐技術(shù),是一種能夠高效存儲并靈活釋放能量的重要手段,在構(gòu)建清潔低碳、安全高效的能源體系進(jìn)程中扮演著極為關(guān)鍵的角色。賽晶自主研發(fā)IGBT、SiC芯片及模塊,層疊母排、集成母排及電力電子電容器,以其卓越性能在儲能領(lǐng)域大放異彩,吸引眾多國內(nèi)外與會者和客戶的高度關(guān)注和深入交流,充分展現(xiàn)了賽晶科技在新能源產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新和引領(lǐng)優(yōu)勢。

賽晶自主研發(fā)ED封裝IGBT模塊,采用i20系列精細(xì)溝槽柵IGBT芯片組,大幅提升均流表現(xiàn)的“直線型”優(yōu)化設(shè)計,降低損耗,保證芯片匹配性和可靠性,可達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先的最大工作結(jié)溫175°C,擁有1200V、1700V等多個型號產(chǎn)品。在儲能、新能源發(fā)電、電動汽車、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域具有廣闊市場。

此外,還帶來采用賽晶i20 IGBT芯片,應(yīng)用于儲能、光伏發(fā)電、電動汽車等工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的“ST封裝IGBT模塊、EP封裝IGBT模塊、FP封裝IGBT模塊和BEVD封裝IGBT模塊”。以及采用賽晶SiC MOSFET芯片,應(yīng)用于電動汽車領(lǐng)域的高性能模塊產(chǎn)品“HEEV封裝SiC模塊、EVD封裝SiC模塊”,成為了展會中的亮點(diǎn)。
同時,賽晶還展示了多項世界領(lǐng)先的技術(shù)與產(chǎn)品,包括疊層母排、集成母排、電力電子電容器等,以其高效、智能和可持續(xù)的特點(diǎn),贏得國內(nèi)外業(yè)內(nèi)專家和客戶的一致認(rèn)可和高度贊譽(yù)。

層疊母排作為配電領(lǐng)域的關(guān)鍵器件,不僅能夠顯著降低電能損耗,還具備更高的可靠性、耐久性和安全性,同時大幅減輕系統(tǒng)重量。集成母排則為電池系統(tǒng)和電源應(yīng)用提供了高度集成的解決方案,不僅提升了信號傳輸?shù)姆€(wěn)定性,還通過自動化水平的優(yōu)化為客戶節(jié)省了成本。電力電子電容器則廣泛應(yīng)用于可再生能源、儲能、變頻器及柔性直流傳輸?shù)阮I(lǐng)域,為新能源和工業(yè)變頻等應(yīng)用提供了高效支持。
隨著全球?qū)G色能源轉(zhuǎn)型的加速推進(jìn),儲能產(chǎn)業(yè)在全球范圍內(nèi)呈現(xiàn)出快速發(fā)展的態(tài)勢,市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。賽晶科技憑借國際一流的技術(shù)水平和卓越的性能表現(xiàn),在儲能、新能源發(fā)電與輸電領(lǐng)域的強(qiáng)大技術(shù)實力,努力踐行“雙碳”目標(biāo),為國家新型電力系統(tǒng)構(gòu)建做出更多貢獻(xiàn)。
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